LC serisi rezonans devre tasarımı? Wuhan UHV üretiminde uzmanlaşmıştır.seri rezonans, geniş ürün yelpazesi ve profesyonel elektrik testleri ile. Bulmak içinseri rezonans, Wuhan UHV'yi seçin.
Devre Teorisi Araştırması
Rezonans özel bir fiziksel olgudur ve bu özelliklere sahip devrelere rezonans devreleri adı verilir. Teorik olarak son derece yüksek araştırma değerine sahip olmasının yanı sıra, elektrik teknolojisi, radyo teknolojisi vb. gibi mühendislik alanlarında da geniş bir uygulama yelpazesine sahiptir. Ancak güç iletim ve dağıtım sistemindeki rezonans olgusu, sistemin normal çalışmasını bozabilir, bu nedenle bundan kaçınılmalıdır.
Darbe güç teknolojisi alanında, birincil enerji depolama kapasitörleri için iki yaygın şarj yöntemi vardır: sabit voltajla şarj ve sabit akımla şarj. İlki, büyük hacimli bir güç frekans transformatörünü temel alır ve şarj dirençleri tarafından tüketilen enerjinin %50 olduğu şarj gücünü sınırlamak için sıklıkla şarj dirençlerini kullanır; İkincisi, "eşit adımlı" bir güçlendirme yöntemi yoluyla kapasitörlerin sabit akım şarjını sağlamak için genellikle tam köprü serisi rezonans şarj devresi kullanır. Küçük boyut, yüksek verimlilik, yüksek güç yoğunluğu ve geniş aralıktaki yükler için uygunluk avantajlarına sahiptir ve bu da onu ideal bir kapasitör şarj güç kaynağı haline getirir. Tam köprü serisi rezonans şarj güç kaynağını oluşturan ana üniteler, rezonans indüktörleri ve kapasitörleri, güç cihazlarını ve darbe transformatörlerini içerir. Bu makale, bu birim parametrelerinin tasarımını sayısal hesaplama ve simülasyon yöntemleriyle belirlemekte ve tasarlanan tam köprü serisi rezonans şarj güç kaynağının Pspice devre simülasyon yazılımını temel alarak tam devre simülasyonunu gerçekleştirmektedir.
Seri rezonans deneyi devrelerdeki tipik bir deneydir. Deney esas olarak genlik frekans karakteristik eğrisini çizer ve frekansın bir fonksiyonu olarak RLC serisi devredeki akımı (veya direnç üzerindeki çıkış voltajını) ölçerek devre kalite faktörünü (Q değeri) belirler.
Bir RLC serisi devrede, giriş sinüs AC sinyal kaynağının frekansı f değiştiğinde, devredeki endüktif ve kapasitif reaktans da değişir ve devredeki akım da f ile değişir. Cevap olarak R direnci üzerindeki voltajın Uo etkin değeri alınarak, giriş voltajının Ui etkin değeri sabit kaldığında, farklı frekanslı sinyal uyarılmaları altında Uo değeri ölçülür. Daha sonra, x-ekseni f frekansı ve y-ekseni U o/U i olacak şekilde (U i sabit kaldığından, U o doğrudan y-ekseni olarak da kullanılabilir), Şekil 1'de gösterildiği gibi rezonans eğrisi olarak da bilinen genlik frekansı karakteristik eğrisi olan düzgün bir eğri çizilir.
Şekil 1